欧媒：中芯国际或有意避开光刻机生产芯片！

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　　中芯国际或有意在避开ASML光刻机制造芯片，这是欧洲媒体发出了最新声音。
　　华为能够自研各种芯片，像巴龙5000、麒麟9000等，都是当时最先进的5G芯片，但由于台积电不能自由出货，导致这些芯片无法生产制造。
　　但国内厂商已经能够量产14nm等先进工艺芯片，N1工艺也进行了小规模试产，并到达了预期效果，结果华为麒麟芯片也没有采用这些工艺。
　　原因是美要求凡是采用美技术生产制造的芯片，出货都需要经过美的许可，台积电、中芯国际都采用ASML的光刻机等技术，导致其不能自由出货。
　　于是，华为近三年研发投资持续增长，2022年超过1600亿元，再创新高，三年共计研发投入超过4000亿元，不受营收和利润控制。
　　关键是，华为实现了14nm以上EDA软件国产化，今年将全面验证；华为突破了ERP系统的封锁，并实现超13000颗元器件、4000块电路板国产化。
　　孟晚舟更是明确表示，华为坚持奋斗，向死而生，怎么能不成仁。
　　中芯国际方面的动作也明显，三方协议达成后，ASML明确表示预计6月份将不能出货部分型号的DUV光刻机，暗示有需求的厂商尽快下单。
　　但中芯国际方面却没有任何消息传出来。
　　要知道，中芯国际曾一次性购买价值11亿美光的光刻机，还将2022年的资本开支从50亿美元提升到66亿美元，也是用于先进设备购买。
　　另外，中芯国际预计今年底，将会有折合八寸晶圆超70万片的产能。
　　但在ASML被进一步限制出货之际，中芯国际的表现却很平淡，甚至传出中芯国际与ASML中断部分合作的消息。
　　所以欧媒表示中芯国际或在避开ASML的光刻机，因为华为、中芯国际等在发展其它芯片制造技术。
　　首先，华为自研堆叠芯片和光电芯片。
　　余承东已经公开表示华为未来会采用堆叠技术的芯片，从而解决高性能芯片的问题。
　　目前，华为已经公布了多项与堆叠芯片相关的技术专利，主要解决功耗、堆叠方面是问题。
　　华为还在研发光电芯片，用美的话说就是，华为在光电芯片技术方面领先，希望华为能够共享相关技术。
　　相比传统的硅芯片，光电芯片更适合万物联网，其能够带来更快的传输速度和效率。
　　于是荷兰也宣布进入光电芯片领域，预计投资11亿欧元，希望打造下一个ASML。
　　其次，中芯国际不断降低芯片风险。
　　中芯国际一直都在扩大成熟工艺芯片的产能，这不仅是因为成熟工艺需求紧缺，需求大，也因为中芯国际不断降低成熟工艺的风险。
　　上海微电子已经突破90nm光刻机，在多重曝光工艺下，可以用于22nm工艺。
　　有消息称，28nm工艺预计今年将会全面实现国产化，这意味着中芯国际28nm工艺就不需要ASML的光刻机。
　　另外，中芯国际还在打磨N1等工艺，并研发小芯片相关技术，这些都是为了降低对ASML光刻机的依赖，甚至完全避开。
　　最后，华为已经宣布实现14nm以上EDA工具国产化，今年将联合国内厂商进行全面验证，也就是说，华为正在联合国内厂商打造更先进的国产芯片生产线。
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