事关BCD工艺！中芯国际55nm研发成功，台积电、三星可以比

　　提到芯片工艺，台积电、三星首当其冲，毕他们3nm制程都开始量产了，而中芯国际还在布局28nm成熟制程。但是，集成电路涵盖的范围很广泛，并不代表中芯国际没有赢面，在BCD工艺制造方面，就不输台积电、三星。
　　近日，中芯国际传出好消息，已成功完成55nmBCD工艺的研发，这有什么意义？台积电和三星有得比么？
　　中芯国际完成55nmBCD工艺的研发
　　近日，中芯国际发布了2022年上半年财报，披露了上半年营收和净利润，都呈现大幅上涨趋势。这是个好消息，说明中芯国际市场稳固上升，不仅如此，还有更好的消息。
　　在财报中，中芯国际表明，在核心技术方面，已完成55纳米BCD平台第一阶段的研发，并进入小批量试产。这是一个振奋人心的好消息，在BCD工艺方面，中芯国际不仅突破了技术封锁，更是走在了世界的前沿。
　　该工艺研发成功有什么意义？
　　也许有人会说，才55nm就说走在世界前沿，这算哪门子突破呢？当然，提出这样的疑问也难怪别人，毕竟集成电路领域广泛，大家对BCD工艺不熟悉也不为其。
　　一、先简单了解一下什么是BCD
　　BCD全写为BipolarCMOSDMOS，该技术是一种单片集成工艺技术，是由STM（意法半导体）于1985年研制成功。该工艺能把Bipolar、CMOS和DMOS器件制作在同一芯片上，同时具备Bipolar高跨导、强负载驱动能力，以及CMOS集成度高、低功耗的特点，还可以让DMOS在开关模式下工作。
　　因此，该工艺可改善芯片性能与功耗，即可大幅降低功率耗损，又能提高系统性能。并且，与台积电和三星目前的3nm工艺（数字集成工艺）完全不同，发展方向不在同一平行线上，它主要的发展方向在于高压、高功率和高密度三个方面。
　　二、BCD工艺主要应用
　　PMIC（电源管理芯片又称IC芯片）主要采用的就是BCD工艺，它主要广泛应用于汽车、消费电子、工业和网络设备等领域，包括可应用于智能手机、平板电脑、固态驱动器、网络和无线物联网设备、TFT显示器等等。
　　另外，BCD可提供提供SOI（绝缘体上硅）衬底选项，使其输出电压高达800V，能够适合电子医疗、汽车安全及音频相关等高价值应用。
　　据YoleDveloppement（知名半导体分析机构）发布的“全球功率半导体未来走势的报告”指出，全球功率半导体市场仍然以BCD（BipolarCMOSDMOS）技术为基础，并且，功率半导体非常依赖成本驱动，集成了存储模块的功率集成电路制程在90nm左右。
　　由此可见，BCD工艺至今为止，仍然是芯片制造的另一主流工艺。
　　55nmBCD工艺研发的意义
　　目，全球主流在售的工艺在90180nm，推进的最先进的技术在60nm左右。所以，中芯国际能够成功完成55纳米BCD平台第一阶段的研发，并进入小批量试产，其意义十分重大。
　　不仅说明中国的BCD工艺取得了标志性的突破，彻底打破了该领域的技术封锁，更表明了中芯国际的BCD工艺走向了世界前沿。另外，BCD工艺应用广泛，中芯国际拥有更先进的技术，可以获得更多的相关芯片订单，有利于提高国内芯片自给率。
　　台积电和三星有得比么？
　　首先，台积电和三星都已经可以量产3nm芯片了，而且台积电的2nm工艺2025年也可以量产，毫无疑问，台积电、三星在先进制程技术方面已走在前沿。但是，这个先进制程，也仅仅是数字集成工艺，因此无法与BCD工艺横向比较。
　　其次，全球目前的集成了存储模块的功率集成电路制程在90nm左右，但是，台积电和三星2022年将推进BCD工艺到65nm。与正常水平来衡量的话，台积电和三星在BCD方面的技术也算是先进水平，但与中芯国际的55nm工艺相比，还有一个跨度。
　　第三，中芯国际特色工艺覆盖电源模拟芯片、DDIC、IGBT、存储、射频等，制程覆盖0。35um24nm，涉足领域也十分广泛。再加上其在高压DDIC、电源管理IC领域实力尤其强劲，因此，在BCD工艺方面具有先天优势。
　　因此，在BCD工艺方面，台积电和三星与中芯国际还是无法比较的。
　　结束语
　　台积电和三星的芯片代工技术数一数二，也一直都是劲敌，但是，集成电路涵盖的范围很广泛，他们也无法面面俱到。在BCD工艺方面，中芯国际同他们一样，都是具有世界领先的技术。
　　当然，这只是一小块优势，国内芯片产业链要走的路还比较艰难，需要众多科企、芯企一起努力，坚持走自主研发之路，才是正确的选择。