NVIDIA28nm笔记本显卡阵线：还是费米架构

　　就在大家翘首以盼“开普勒”架构的时候，NVIDIA28nm新工艺笔记本显卡全线曝光，只不过它们并没有使用新架构，而是依然沿用“费米”架构，也就是仅相当于GeForce500M系列的工艺进化版本。
　　新家族的具体型号尚未确定，按惯例应该是GeForce600M系列，而开发代号是N13系列，延续了GeForce500MN12系列的命名方式，并且继续分为三个级别：主流级的N13M（Mainstream）、性能级的N13P（Performance）、发烧级的N13E（Enthusiast）。
　　受到Intel、AMD纷纷在处理器内整合高性能图形核心的影响，低端独立显卡将基本不复存在，N13M主流系列也只剩下一款“N13MGS”，位宽还是64bit，显存颗粒也是DDR3，热设计功耗1520W。估计应当是GF119核心，取代GeForceGT520M。
　　性能级的N13PGV似乎也是GF119核心，位宽64bit，但显存颗粒改用GDDR5。N13PGL、N13PLP位宽都升级到128bit，但显存颗粒又降级到DDR3，前者热设计功耗2530W。上述型号的显存容量可能都会以1GB为主。
　　N13PGS、N13PGT应当是GF116核心，128bitDDR3GDDR5显存，容量达到2GB，热设计功耗分别为2530W、3035W，3DMarkVantageP性能级别成绩分别为P9000、P10000左右。
　　N13EGE看样子也是GF116核心的产物，128bit2GBGDDR5显存，热设计功耗继续升至4045W，性能升至P11000。
　　N13EGS1肯定要换成GF114核心了，因为显存位宽为256bit，容量还是2GBGDDR5，性能窜升至P15000，而热设计功耗也大幅提高到7045W。
　　最后是旗舰级的N13EGTX，看起来应该是在N13EGS1的基础上开放更多流处理器和更高频率，性能突破P20000分大关，而热设计功耗依然只有7075W，相比于40nm工艺GeForceGTX580M的恐怖100W大大降低。
　　N13M、N13P两大系列将全部在今年10月初完成样品，12月底投入批量生产，发布时间自然应该是2012年第一季度。
　　N13EGE也安排在10月初采样，N13EGS1则可能要等到11月初，不过二者的量产时间都是2012年1月份，估计也会在明年第一季度内推出。
　　N13EGTX来得最慢，要到明年初才会试产，45月份方能量产。