离开美国技术，我国几年能造出高端芯片？答案来了，或许你会失望

　　几天前，老美签署了《芯片和科学法案》，将拿出527亿美元促进本土半导体产业整体水平的提升。但是，这项法案的一项规定，对我们非常地不友好：不允许享受补贴的企业在我国新建、扩大晶圆厂！
　　《芯片和科学法案》出台之后，在短时间内引起了国内网友的广泛关注与讨论，并发出灵魂拷问：没有了美国的半导体技术，我国几年能够独自制造出高端芯片？
　　其实，自从发生中兴事件、华为事件后，就有网友表达了这样的疑惑。
　　去年，TCL创始人李东升在科技大会上表示，五年之内，我国将会解决高端芯片短缺的问题。于是乎，不少网友认为，我国将会在五年内独自制造出高端芯片。答案真的是这样吗？
　　据媒体报道的信息显示，中芯国际已有能力实现14nm芯片的量产，这个消息虽然提振了国人对“中国芯”的信心，觉得我国用不了多久就能摆脱对美芯的依赖，但是，中芯国际也使用了来自美企的技术和设备。
　　那么，没有了美企的技术和设备支持，我国能否在短时间内独自制造出高端芯片呢？答案来了，或许你会很失望。
　　昨天，我在看到了一张媒体制作的关于芯片制造过程中需要涉及的一些关键材料及设备，其中就表明了我国突破这些材料和设备的时间。
　　从这张表格中不难看出，我国今年能否独自制造出14nm芯片，主要还是看上海微电子研制的28nm光刻机能够交付下游企业使用。如果上海微电子交付了28nm光刻机，下游芯片制造企业就可以通过多重曝光等工艺，制造出14nm芯片。
　　但是，我国要想独自制造出7nm及以下制程工艺的芯片，真的还需要几年的时间，因为EUV光刻机的光刻机研发真得很难！
　　EUV光刻机的研制是一项庞大的项目工程，需要整个世界光刻产业链的整体协作，以ASML公司制造的EUV光刻机为例，它所需的近10万件零部件来自世界上35个国家的5000多家企业，部分零部件的打磨需要耗费近10年的时间。
　　ASML公司EUV光刻机总工程师曾表示，即便是我国拿到了图纸，也造不出EUV光刻机。这句话说得并不无道理，我国要想制造出EUV光刻机，就必须制造出或寻找到可以替代来自《瓦森纳协定》成员国的光刻技术和元器件，短时间内，我国要想做到这些，难度不是一般的大！
　　虽然我们短时间内无法制造出7nm及以下制程工艺的芯片，但是，西方的芯片封锁，也绝不会对我国科技的发展造成多大的影响，因为28nm、14nm芯片已经完全可以满足智能汽车、物联网、电脑、电视等行业的发展。
　　我国独自制造出28nm、14nm芯片，在某种程度上来说，已经降低了对进口芯片的依赖，对我国科技产业的发展有着极大的历史意义。
　　两年前，中科院就集中了优势的科研力量，成立了光刻机科研攻关小组，并且取得了重大的技术突破。
　　王阳元老院士在接受央视专题采访时眼含热泪地表示：不解决卡脖子问题，死不瞑目！
　　试问，中科院将这样的科学家集中在一起，组成科研攻关小组，EUV光刻机怎么可能成为我国科技发展道路上的拦路虎？
　　在中美科技竞争不断升温的当下，老美在半导体领域的动作频频，企图将我国排除在世界半导体产业链之外，遏制我国科技的崛起。我们要做的，绝不是坐地“联想”，一定要奋起“华为”，彻底抛弃“买办思维”，加大科研投入与人才的培养，打造出一个完善的半导体体系。
　　不管如何高尖端的设备，也不是神造的，只要是人造的，中国科学家就能造出来，为我国科技的发展增砖添瓦。
　　东方睡狮已经苏醒，胡须再也不会是他人手中的玩具，想怎么摆弄就怎么摆弄，已成为推动世界科技发展、人类文明进步的中流砥柱。