ISSIIS61WV2568EDBLL10TLIND是一种高速SRAM芯片，位宽256Kx8。采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，产生了高性能和低功耗的设备。当CE为高电平时，器件进入待机模式下的功耗可以通过CMOS输入电平降低。通过使用芯片使能和输出使能输入、CE和OE可以轻松扩展内存。有效的低写入使能（WE）控制存储器的写入和读取。同时支持工业和汽车温度。完全静态操作，无需时钟或刷新。IS61WV2568EDBLL10TLIND采用JEDEC标准44引脚TSOPII封装。
　　伟凌创芯国产SRAM芯片EMI502NF08VM10C是一款位宽256Kx8高速静态随机存取SRAM芯片，使用（8）条公共输入和输出线，并具有一个输出使能引脚，其运行速度快于读取周期的地址访问时间。而EMI502NF08VM10C允许通过数据字节控制（UB，LB）访问上下字节。快速访问时间10ns，采用JEDEC标准44引脚TSOPII封装。该器件采用先进的CMOS工艺，基于6TR的单元技术制造，专为高速电路技术而设计。它是特别适用于高密度高速系统应用。此款EMI502NF08VM10C国产SRAM芯片PIN2PIN替换IS61WV2568EDBLL10TLIND。代理商英尚微电子支持提供样品测试及产品技术解决方案。
　　安徽伟凌创芯微电子是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专注国产SRAM芯片存储、显示驱动，接口转换芯片设计、生产及销售。公司拥有国际知名设计专家及工作经验丰富工程师研发团队，与国内知名前后道生产合作伙伴紧密合作。深挖客户应用，依托强大的研发实力，融合世界前沿的技术理念快速响应客户的变化需求，为行业客户提供高品质、低成本，供货持续稳定的自主知识产权的集成电路产品，产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。

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