通用平台技术论坛(CPTF)大会上,GlobalFoundries宣布了他们的最新成果,业内第一家使用3D14nmXMFinFET晶体管工艺制造了一颗ARMCortexA9双核心处理器,而相关研究和模拟表明,14nmXM工艺的能效要比现在的28nmSLP高出两倍之多。 GlobalFoundries、ARM的合作研究发现,28nmSLP工艺生产一颗高性能、高能效的ARM处理器一般需要使用12轨库(12tracklibraries),14nmXMFinFET工艺生产更高性能、更高能效的则只需要9轨库,核心面积可以进一步缩小。在同样的功耗下,14nm可以达到的频率比28nm要高出61,而在同样的频率下,14nm的功耗则要比28nm低了62。 综合来讲,如果以DMIPmW为指标,14nmXM的能效能超过28nmSLP的两倍,而核心面积缩小一半。 ARM方面也很兴奋,其执行副总裁、物理IP部门总经理DipeshPatel表示:“这些初步结果展示了FinFET技术应用于ARMSoC处理器的潜在好处。通过在制造工艺技术上的早期合作,GlobalFoundries、ARM得以发现并解决了SoC设计中的难题,降低客户采纳时的风险。” GlobalFoundries14nmXM工艺在20nmLPM后端的基础上融合了14nmFinFET,可以快速投产上市,其鳍片间距为48nm,估计和IntelFinFET技术差不多。 相关阅读: