SiC行业深度报告：SiC全产业链拆解，新能源行业下一代浪潮

　　（报告出品方作者：财通证券，张益敏、吴姣晨）
　　4。海外龙头仍是主要玩家，国产供应链有望弯道超车
　　4。1。龙头企业上下游厂商整合，强化竞争优势
　　IDM推动上下游厂商整合，并购成为SiC领域主要发展方式。由于SiC衬底、器件更依赖工艺经验的积累和长时间的投入，上下游整合有助于快速反馈生产过程中的问题并迅速进行产线调整。各行业巨头上下游延伸趋势日益明显，通过并购缩短研发时间、快速掌握先进技术，全产业链布局进一步提升竞争优势。
　　4。1。1。Wolfspeed（Cree）：SiC市场一家独大
　　SiC衬底领域研发超过35年，行业需求增长带动Wolfspeed股价持续创新高。Cree成立于1987年，是集化合物半导体材料、功率器件、微波射频器件、LED照明解决方案于一体的著名制造商。自2000年以来，公司经历了从LED到SiC龙头的业务转变，其发展历程可分为四个阶段：
　　2013年之前：LED及照明业务为投资主线。公司通过内生增长与外延收购并举，完成LED全产业链布局，产品覆盖LED外延、芯片制造和封装以及LED照明解决方案。股价经过短暂波动后维持在较低水平。直到2008年，电子产品的发展使得LED需求快速增加。公司收入不断增长，2013年LED和照明业务收入接近13亿美元，成为仅次于日亚化学的LED巨头，带来股价提升。201420年：业务调整，剥离LED及照明业务并向SiC聚焦。随着LED行业进入成熟期，行业整体增速开始放缓，在LED及照明行业陷入成本竞争以及中美贸易摩擦影响后，公司在2018后将其重心放在Wolfspeed业务并于2018年3月收购英飞凌的射频功率（RadioFrequencyPower）业务。公司陆续剥离了LED及照明业务，潜心研究SiC领域，营收占比从2014Q1的不足7持续提升至2017Q4的19。由于市场规模较小以及SiC商业化前景尚不明朗，行业内仍以LED及照明业务为公司定价。2021年之后：市场关注度逐步提升，估值业绩双成长。随着2018年，特斯拉Model3上市，成为全球首款采用SiC驱动的量产电动车，市场对SiC技术的关注度日益攀升。公司于2021年10月正式改名为Wolfspeed，并在纽约证券交易所重新上市，标志着公司完全蜕变成一家以宽禁带半导体产品为主的公司。随着新能源汽车的发展，SiC需求增长强劲，公司与众多厂商达成合作关系，逐渐带动业绩增长。公司价值重估，股价一路走高。
　　业务需求增加，营收持续增长。新冠疫情、供应链扰动、高通胀环境之下，Wolfspeed维持快速增长。FY2021实现营业收入5。26亿美元，同比12；FY2022公司实现营收7。46亿美元，同比增长42。0，其中FY22Q4实现营收2。29亿美元，同比57环比22，超过此前的指引上限2。15亿美元。SiC材料及器件下游需求旺盛，根据公司投资者关系介绍，预计FY2023营收约10亿美元，考虑功率设备需求增加，将FY2026的收入预测较此前的21亿美元上调3040至27。329。4亿美元，FY202226期间CAGR约40，长期增长趋势强劲。
　　公司产品主要包括SiC材料、功率器件和射频器件。公司FY2021收入5。26亿美元：碳化硅材料收入2。39亿美元，占比45；碳化硅器件收入2。87亿美元，占比55。材料方面，包括碳化硅衬底、碳化硅外延片、GaNonSiC外延片，公司材料收入主要来自于衬底。SiC衬底分为主要应用于新能源汽车领域的低电阻率导电型衬底和应用于5G、射频通讯领域的高电阻率半绝缘型衬底，FY2021导电型衬底占公司材料收入73。器件方面，可进一步分为功率器件（Powerdevices，SiConSiC）和射频器件（RFdevices，GaNonSiC），FY2021功率器件收入1。55亿美元，占总收入29，射频器件收入1。32亿美元，占总收入25。
　　细分公司各业务，受益于SiC在新能源汽车以及光伏等领域需求旺盛，Wolfspeed的功率及射频业务毛利率水平整体高于照明及LED业务，在FY2020前保持48左右的毛利率水平，在扩产后毛利率水平下降。FY202021由于疫情影响与产能调整，公司产能利用率下降，毛利率持续下滑。FY22Q4毛利率为36。5，同比4。3pcts环比0。2pct，高于指引中值36。3，主要系疫情影响有所减弱，叠加产能效率优化以及新工厂开业等一系列调整。随着设备生产从达勒姆向莫霍克谷转移的加速，预计在未来8英寸量产及整体产量提高后，成本有望下降，毛利水平有望回归，公司预计FY2024产品毛利率从目前30提升至50水平。
　　业务调整影响净利润水平，FY2022亏损明显收窄。WolfspeedFY2021实现归母净利润5。24亿美元；FY2022H1实现1。67亿美元。前期业绩下滑主要系照明及LED业务剥离以及转型期间对研发与设备的持续投入均对净利润产生了显著影响。近几年主要是由于收购英飞凌RF业务扩充SiC产能导致资本开支增加中美贸易摩擦导致亚洲业务受损疫情影响开工率等不利因素。公司于FY2021已达资本开支峰值，FY2022公司转型阵痛得到有效缓解，NonGAAP净亏损率从20缩减至8，未来逐渐减少财务压力，随着公司实现业务整合、8英寸晶圆实现量产并提高良率及周期，使器件工艺向更多晶圆代工厂转移，盈利能力料将持续提升。公司预计FY2023Q1营收为2。332。48亿美元，预计净亏损14002100万美元。
　　Wolfspeed的优势在于：（1）30年SiC领域经验积累最多专利，掌握8英寸SiC衬底技术，导电型SiC衬底市场一家独大。公司技术来自于北卡罗来纳州立大学，公司创始人之一兼现任首席技术官JohnPalmour作为北卡州立大学材料与工程实验室的一名在读研究生，和其他几位学生一起组成研究小组，共同参与由美国海军办公室资助的研究课题，旨在通过开发出采用SiC材料的微波晶体管的生产制程，从而为军用飞机的更高功率电子系统提供支持。自1991年发布全球第一个商用SiC晶片以来，在SiC衬底的商业化运用和规模量产方面持续领跑。截至2021年11月，公司拥有及申请中的专利合计2939项，其中412项与碳化硅材料相关，1212项与功率器件相关，1315项与射频器件相关。目前，全球头部厂商产能集中于6英寸及以下晶圆，公司能够批量供应4英寸至6英寸导电型和半绝缘型SiC衬底，公司是全球第一家突破8英寸SiC量产技术的公司，已成功研发并开始建设8英寸产品生产线。公司2019年就开始建造8英寸工厂，花了大约1。251。5年的时间来运行与调试，公司于2022年4月成功开设莫霍克谷晶圆厂，一个工厂的完整周期（从立项到全面达产）需要约5年时间，竞争对手短期内难以追平。
　　（2）材料与器件均有510倍产能扩张规划：公司SiC衬底由其位于北卡罗来纳州达勒姆总部的DurhamFab和RTPFab生产。2021年11月投资者日上，公司展望SiC材料产能将从FY2022，增加至FY2024的24。2万平方英尺，根据Yole的预测，折合6英寸SiC衬底产能将从2022年的16万片年，增加到2026年的100万片年。2019年，公司宣布投资10亿美元扩大SiC产能，建造一座采用最先进技术的自动化200mmSiC生产工厂和一座材料超级工厂，预计2024年实现SiC晶圆制造产能和SiC材料生产相比FY2017Q1扩大30倍。2022年4月，纽约州马西镇的莫霍克谷晶圆厂（MVFFab）成功开设，该工厂是世界上第一个、最大和唯一的全自动8寸SiC制造工厂，聚焦车规级产品，开业以来已完成初始批次产品的生产和交付。2022年9月，Wolfspeed宣布在北卡罗来纳州查塔姆县投资数十亿建造一座8英寸SiC晶圆生产工厂（ChathamCountyMaterialsFacility），建成后可将公司在达勒姆园区的SiC产能提高10倍以上，有助于保障MVFFab的材料供应；一期建设计划投入13亿美元，预计于2024年完工。如果公司在投资和就业上满足要求，州和地方政府将提供接近10亿美元的各项补助，可大幅减少扩产的资金压力。
　　（3）汽车等领域客户持续导入。FY22公司Designin达64亿美元，FY21潜在销售机会（Pipeline）相比FY20增加了两倍，已高达180亿美元，为未来几年的销售增长提供了确定的保障，其中汽车领域占比最大，并且期间CAGR达75最快，在FY2021，106项方案选择了Wolfspeed的SiC器件，其中汽车产品Designin占据大部分预估终身收入（ELR）。随着OEM代工厂和一级供应商将基于SiC的解决方案用于动力总成、车载充电器和非车载快速充电器，车规级SiC功率器件市场将加快发展，同时公司把握当前Designin的黄金时间点，通过34年的验证周期后能够实现批量供货，公司已经与通用、蔚来、奥迪、大众和宝马在800V架构应用中已建立合作，在2019年成为大众FAST项目SiC独家合作伙伴。
　　4。1。2。IIVI：垂直布局SiC产业链，五年扩产510倍
　　IIVI公司成立于1971年，是工程材料和光电元件的全球供应商和领导者，提供光电材料和化合物半导体，核心业务包括工业激光器，光通信，军事等，业务发展方向包括EUV光刻技术、无线SiC产品、电动汽车、SiC产品和三维传感器等，同时也是世界领先的SiC衬底供应商，在SiC领域也有近20年经验，能够提供4至6英寸导电型和半绝缘型晶片，并已成功研制8英寸导电型SiC晶片。根据Yole数据，2021年IIVI公司的SiC晶片供应量位居世界第二。2022年IIVI公司完成对激光器及激光设备领域公司Coherent收购后，将公司名称变更为Coherent，将逐步完成旧名称和品牌标识向新名称的过渡，本报告从习惯出发，仍旧沿用IIVI。
　　5年内衬底产能扩产510倍。201419年，IIVI的SiC衬底产能每1824个月就实现翻倍，IIVI计划自2020年开始5年内首先6寸晶圆产能扩张510倍，其中包括量产8英寸衬底，量产时间预计为2024年。同时IIVI宣布自FY2022在未来10年内向SiC投资10亿美元，以满足客户在电动汽车上对SiC电力电子器件的需求。目前IIVI在中国的福州、广州、上海、深圳、苏州和无锡等城市拥有庞大的制造业务和产品开发业务。
　　通过垂直整合构造SiC产业链。IIVI在具备SiC衬底技术的基础上，2020年与GE（通用电气）签署了大规模的专利许可协议，共享仅在GE内部使用的专利技术，共同开发SiC器件和模块，并通过IIVI进行量产，将其应用于飞机以外的各个行业，例如汽车和医疗保健。目标是提供可应用于车载充电器（OBC）和安装在电动汽车内的电机的SiC器件和模块。2022年2月，IIVI公司宣布其在自有高质量SiC衬底上制作的1200VSiCMOSFET已达到严格的汽车标准要求，并通过与GE（通用电气）研究院签署为期三年的技术准入协议（TAA），以获得该实验室的世界级SiC模块技术和专家团队，加速客户设计参与活动。目前，公司主要产品为1200V和1700V级SiC。IIVI还计划在未来与GE一起开发2500V的下一代SiC半导体。2020年8月IIVI又收购了Ascatron（生产SiC外延片和器件）和Innovion（世界级大型离子注入服务提供商），向下游器件延伸，补充技术平台。
　　4。1。3。ROHM：实现完全垂直整合的制造工艺
　　SiC领域深耕20年。ROHM是日本首家具备SiC全产业链生产能力的半导体厂商，创立于1958年，以电阻起家。公司于1967年和1969年逐步进入了晶体管、二极管领域和IC等半导体领域；从2000年开始进行SiCMOSFET的基础研究，并在2009年收购德国SiC晶圆材料厂商SiCrystal，从而拥有了从晶棒生产、晶圆工艺到封装组装的完全垂直整合的制造工艺；2010年全球首发SiCSBD（肖特基二极管）MOS并实现量产；2012年全SiC模块量产；2015年沟槽型SiCMOS量产以及2017年6英寸SiCSBD量产。
　　根据公司FY2021经营情况汇报，ROHM在汽车和工业上的销售额从FY2004的16增长至FY2022的52。随着越来越多汽车客户采用了ROHM最新第四代SiCMOSFET作为电动车中主逆变器，未来ROHM将继续向汽车和工业转型。公司预计到FY2026年采用公司SiCMOSFET作为主逆变器的方案将相比FY2023扩大23倍，并且ROHM已经与丰田、三菱有深入合作开发，吉利等汽车品牌也均有计划使用ROHM的产品。
　　2025年扩产6倍。ROHM在2022年3月提出SiC事业部的经营目标，在FY202125年间，即2022年3月2026年3月间，累计投资12001700亿日元，将SiC功率器件年产能扩至FY2021的6倍以上，实现年营收超过1000亿日元。ROHM的SiC功率器件由筑后工厂（福冈县筑后市）和宫崎工厂（宫崎市）的6英寸产线生产，产能将逐步扩张，且计划在2025年之前利用8英寸芯片产线进行量产。筑后工厂继2021年Apollo筑后市新工厂建成投产后，一条SiC功率器件专用的新产线于2022年6月建成，将在22年底前投入量产。ROHM的子公司德国SiCrystal预计2023年开始量产8英寸SiC衬底，未来将把衬底产能提升至数十万片年。
　　4。1。4。ST：战略收购并购加速布局SiC业务
　　ST（意法半导体）于1987年成立，由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成，是业内半导体产品线最广的厂商之一。在SiC领域，ST早于1996年就与卡塔尼亚大学物理系合作开展SiC研究，在2007年正式量产第一代二极管，随着与特斯拉开启合作后，ST快速迭代自身产品系列，并且收购了NorstelAB公司获得SiC衬底制造技术，在卡塔尼亚建立了SiC衬底产线。
　　SiC功率器件聚焦车用领域。ST在SiC领域拥有超过20年的经验，并通过专门的产品线成为市场的领导者。ST的SiC器件组合包括：1）STPOWERSiCMOSFET，范围覆盖650V到1700V，拥有行业最高结温额定值200。2019年特斯拉model3首次采用的1便是ST650VSiCMOSFET。2021年12月，ST推出第三代STPOWERSiCMOSFET晶体管，推进在电动汽车动力系统功率设备的前沿应用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性为重要目标的场景应用。2）STPOWERSiC二极管，范围覆盖600V到1200V，具有可忽略的开关损耗和比标准硅二极管低15的正向电压VF。与双二极管高功耗集成，降低了PCB尺寸；显著降低了功率转换器尺寸和成本。公司在SiC方面目前正在与90个项目合作，涉及72个客户，公司预计到2024年在SiC领域实现10亿美元营收，包括晶体管、二极管和功率模块。
　　持续扩大产能，计划到202425实现SiC收入40的内部供应。ST持续加大投资，扩大意大利Catania和新加坡工厂的SiC器件产能，为了支持汽车和工业客户的业务增长计划，公司计划于2024年将SiC器件产能提高到2017年的10倍，2020年的2。5倍。同时，公司不断垂直整合供应链，计划在2024年之前实现40衬底来自内部供应。ST在2019年12月收购了瑞典SiC衬底厂商NorstelAB。Norstel采用高温化学气相沉积（HTCVD）专利技术，能够提供6寸SiC衬底和外延片，并购有助于增强ST内部的SiC生态系统，让ST能够更好地控制晶片的良率和质量改进，提高生产灵活性，保证晶圆供给量，满足汽车和工业客户未来几年增长的MOSFET和二极管需求。2021年7月ST的瑞典北雪平工厂（前身是Norstel）实现重大突破，成功制造出首批8英寸SiC晶圆片，将用于生产下一代电力电子芯片的产品原型。
　　4。1。5。英飞凌：涵盖Si、SiC、GaN全系列功率产品
　　市场上唯一一家提供涵盖硅、SiC和氮化镓等材料的全系列功率产品的公司。英飞凌前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，英飞凌设计、开发、制造并销售各种半导体和系统解决方案，其业务重点包括汽车电子、工业电子、射频应用、移动终端和基于硬件的安全解决方案等。
　　单季度收入及利润均创下最佳纪录。FY2021实现营业收入110。6亿欧元，同比29。10，FY22Q3营收达到36。18亿欧元，环比10，同比33，创下新纪录，公司展望FY22Q4营收预计39亿欧元，环比8；FY2021实现归母净利润11。69亿欧元，同比217。66，FY22Q3归母净利润达到5。17亿欧元，环比10，同比111，创下新纪录。公司盈利能力持续提升，近年来销售毛利率保持平稳在36左右，FY2021销售毛利率38。52，进入FY2022后毛利率继续提升，FY22Q3的毛利率达到43。23。
　　签订供应协议提前锁定产能。公司有丰富的SiC器件研发和制造经验，早在2001年就在业界率先推出SiC二极管；在2006年推出了全球首个SiC商用电源模块，目前已经发展至第五代；2015年实现了SiC从4英寸转6英寸晶圆的生产；2018年英飞凌与Wolfspee（Cree）签订1亿美元合同，锁定6英寸SiC晶圆；2019年，发布了1200V的车规级SiCMOSFET；2020年与GTAT签订5年期SiC晶棒供应协议，并同年收购赛普拉斯，成为全球第一车用半导体供应商。2022年，英飞凌将投资超过20亿欧元扩大SiC和GaN的产能。
　　英飞凌冷切割技术推动晶圆的产能得到大幅提升和更高效的应用。英飞凌在2018年11月收购Siltectra，该公司具备一项能够大幅减少材料损耗的切割晶体材料技术（ColdSpilt），能与SiC一起应用，英飞凌计划在未来五年内实现该技术的工业化规模使用，从而使得单片SiC晶圆产出芯片数量在2022年增加2倍，从而有效降低SiC成本。
　　沟槽栅SiCMOSFET能够实现更高功率密度。在可靠性和质量保证方面，SiC器件有平面栅和沟槽栅两种类型。英飞凌基于沟槽栅SiCMOSFET规避了平面栅的栅极氧化层可靠性问题，实现了更高的功率密度，并且在目前使用平面栅类型的竞争对手中损失最少。英飞凌预计第二代解决方案将会在FY2022发布，功率能力能提高2530。
　　4。2。国产供应链逐步完善，与先进水平差距小
　　各国重视SiC半导体材料技术，给予政策扶持。第三代半导体应用前景广阔，受到各国广泛重视，欧洲美国等发达国家及地区正积极推动本国产业链发展，巩固自身领先地位。国内，工信部将将碳化硅复合材料纳入“十四五”产业科技创新相关发展规划。2022年上半年，美国、英国、日本政府先后资助了10个第三代半导体相关项目；中国科技部国家重点研发计划，“新型显示与战略性电子材料”重点专项2022年度项目中，对第三代半导体材料与器件的7个项目进行研发支持。
　　欧美企业SiC产业链完备，日本企业在终端设备和功率模块开发方面优势明显，我国的SiC晶体研究从20世纪90年代末才起步，起步虽晚，但发展较快，已初步形成了从材料、器件到应用的全产业链，实现了设备研制、原料合成、晶体生长、晶体切割、晶片加工、清洗检测的全流程自主可控。目前已有SiC衬底制造商天科合达、天岳等，外延制造商天域、瀚天天成等，器件设计企业泰科天润、瀚薪、飞锃、爱仕特、瞻芯等企业，并且与海外龙头企业的技术差距正在缩小，未来随着厂商产品研发迭代升级及产能扩张，国内厂商在第三代半导体领域将加速追赶海外厂商，享受行业规模增长和国产化机遇。
　　4。2。1。核心技术取得突破，量产技术逐渐成熟
　　1）SiC衬底是我国产业发展、实现弯道超车的关键
　　衬底制备技术成熟度正在追赶：尺寸方面，国内SiC商业化衬底4英寸导电和半绝缘衬底已经实现产业化，6英寸导电衬底小批量供货，22年上半年，山西烁科晶体和中科院物理所先后宣布突破8英寸SiC衬底，国内水平与行业龙头的差距正不断缩小。厚度方面，哈尔滨科友宣布其6英寸SiC导电型晶体厚度达到32mm，SiC晶锭的厚度提升能增加切片得到的衬底片数，降低衬底生产成本。
　　产品性能方面，目前国际上8英寸SiC衬底样品微管密度达到0。6cm2，国产SiC衬底实现微管密度小于1个cm2，衬底面积95可用，位错约在103cm2；在单晶一致性、成品率方面与国际先进水平仍有差距。但国内SiC龙头企业技术水平也在不断提升，例如天岳先进、天科合达已经掌握半绝缘型SiC衬底和导电型SiC衬底的生产技术，其产品参数包括直径、微管密度、多型面积、电阻率范围、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、表面粗糙度等已经能够比肩国际先进水平。
　　2）SiC外延中低压应用领域相对成熟
　　产品性能方面，国外6英寸外延材料可以实现厚度均匀性小于2，掺杂浓度均匀性小于4，同时生长出6片6英寸高质量4HSiC同质外延材料；国内的瀚天天成、东莞天域是专注于SiC外延片生产销售的企业，其产品除满足国内市场需求外，还有部分外销能力，国内已实现掺杂浓度小于11013cm3，在51018cm3量级掺杂浓度均匀性6。
　　3）SiC器件、模块加速发展，覆盖的电压等级已经基本无差别
　　SiC二极管：实现650V1700V全系列批量供货能力，导通电流最高50A。泰科天润在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂，可在46英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺，已经发布3300V0。6A50ASiC二极管系列产品，产品质量可以比肩国际同行业的先进水平。2022年2月，泰科天润发布消息称，其SiC芯片量产线已进入生产状态中，预期年产6万片6英寸SiC功率芯片，可实现国产SiC功率半导体的自主控制，填补国内产业空白。SiCMOSFET：实现650V（12017m）、1200V（8025m）、1700V（8045m）产品小批量生产，尚处于应用推广阶段，代表企业有中电科55所、三安集成、中车时代半导体、全球能源互联网研究院、基本半导体、瞻芯电子等。已经研制出6。5kV（25A，45mcm2），10kV（10A，114mcm2，15kV（10A，204mcm2），20kV（4A，443mcm2）SiCMOSFET样品，深圳基本半导体的1200VSiCMOSFET性能达到业界领先水平。SiC功率模块：国内SiC功率模块量产产品电压等级650V1700V，其中比亚迪产品已经开始实现上车应用，目前正在推进布局的企业包括华微电子、士兰微、江苏宏微、斯达半导体、中恒微、基本半导体等。
　　正迎国产替代黄金期。在输出相同电流的前提之下，比导通电阻越低，需要的器件数越少，器件的芯片面积可以越小，成本也越低。在1200V领域，ROHM做到2。3毫欧，Wolfspee（Cree）做到2。72。8毫欧之间，英飞凌、ST、安森美做到33。5毫欧之间，而国产接近4。55毫欧。意味着输出相同的电流，国产器件的面积是Wolfspee（Cree）和ROHM两倍左右，造成了海外器件的成本优势。但随着国内加大研发投入，提升良率及技术水平，凭借我国在新能源汽车、光伏等SiC应用的主要市场的一定先发优势，恰逢缺芯以及国产替代黄金期，产品验证壁垒及周期相对较低，使得我国SiC器件加速发展。
　　4。2。2。加快产线建设，国产供应链逐步完善
　　目前国内已基本形成完整的产业链结构。据CASAResearch不完全统计，截至2020年底，国内有超过170家从事第三代半导体电力电子和微波射频的企业，而2018年尚不足100家，覆盖了从上游材料的制备（衬底、外延）、中游器件设计、制造、封测到下游的应用，我国第三代半导体供应链的自主保障能力得到增强。国内已沉淀了SiC技术和产品的企业包括天岳先进、天科合达、东莞天域、瀚天天成、泰科天润等，逐步实现商业化盈利。
　　国产衬底有效供给仍存在缺口。假设使用SiC的新能源车SiC用量如下：1）电控：TeslaM3Y采用24个分立器件并联的方式打造电控，共用到48颗MOS芯片，面积25mm2；以一辆800V平台的B级车为例，需要1200V的碳化硅MOS，其三相逆变器涉及6个开关，每个开关会用到56颗1200V500A的MOS并联组成模块。总体而言，一辆车用36颗MOS芯片；若双电机车型，则用量翻倍。每颗MOS面积25mm2。2）车载充电机（OBC）：11kW的OBC中会用到68颗碳化硅MOS，来满足双向流动和更高的功率密度，每颗MOS面积10mm2。3）DCDC：高压转低压，用24颗1200V的器件，每颗MOS面积10mm2。综合来说，一辆800V平台新能源车会用到50颗左右的MOS芯片，电流越大的芯片面积越大，良率越低，因此每片6寸碳化硅衬底对应约46辆车需求量。据CASA统计，2020年国内SiC导电型衬底（折算4英寸）年产能约40万片；据CEMIA统计，2021年国内SiC衬底生产企业预计规划年产能超200万片，规划包含46寸衬底，但受限于良率及技术影响，实际产能开出率较为有限。考虑到大功率充电桩、光伏、轨交等行业对于SiC的使用同样将快速增长，国产衬底有效供给仍存在缺口。
　　国产器件逐渐导入终端产品供应链。国内SiC各环节龙头企业正紧抓国产替代机遇，主动与下游应用企业开展合作，推动国产器件的快速应用。以华为为代表的应用企业调整供应链，国内SiC企业获得了试用、改进的机会，并且紧抓国内新能源汽车、光伏等应用大市场，国产器件逐渐导入终端产品供应链。
　　在车规级SiC领域，从成本、品质、供应链以及对新技术需求从发，OEM和Tier1倾向把控模块设计和封装环节。目前国内OEM出于国产化替代，供应链稳定的考量愿意培养自主半导体产业，投资或成立合资公司共同探索车规级半导体技术和质量达标方案，或自建SiC模块产线，将品质牢控于自己手中。当OEM和Tier供应商对功率模块的设计和制造进行完整的评价测试和长期管理培养后，将方便采用部分本土的功率芯片，从而在成本控制上找到合适的方案。在综合把控规模成本和品质后，OEM和Tier们在选用下一代电机控制器和电驱动时也将拥有更多的选择权。以股权合作参与的多为OEM与国内的Tier供应商，如上汽、吉利、东风、一汽、正海集团；以投资形式参与的多为OEM旗下的产投；自建产线的多为Tier1，如博格华纳、联合电子、纬湃科技、电装，OEM也有部分选择自建产线，如比亚迪、蔚来。
　　5。重点公司分析
　　5。1。天岳先进：半绝缘型衬底龙头，发力导电型衬底市场
　　天岳先进是国内领先的SiC衬底生产商。公司成立于2010年，于2011年购买了山东大学晶体国家重点实验室蒋明华院士专利，并投入了大量研发，历经多年工艺积累，将SiC衬底从实验室的技术发展成为了产业化技术。据Yole数据，201920年，公司已跻身半绝缘型碳化硅衬底市场的全球前三。
　　作为国内较早从事SiC衬底业务的生产企业，公司已掌握涵盖了设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工等环节的核心技术，201118年，公司将半绝缘型和导电型衬底的量产能力从2英寸扩展到6英寸，逐步缩小与海外龙头厂商差距。目前公司已启动8英寸导电型衬底研发工作，有望借助IPO募投项目形成量产能力。
　　主营半绝缘型衬底和导电性衬底。公司主要产品为半绝缘型SiC衬底，导电型SiC衬底材料也已形成小批量销售。公司2021年实现营业收入4。94亿元，同比增长16。25，其中SiC衬底营收占比78。38；在2021年上半年天岳先进营收构成中，半绝缘型衬底占比高达77，导电型衬底占比可以忽略不计。公司持续投资碳化硅设备增加产能，公司营收规模有望持续增长。长晶炉的数量决定了天岳先进的产能，2019年，公司晶炉接近250台，衬底销量约2。5万片，2020年，公司SiC衬底产能为4。8万片，较上年增长140。52，产能利用率维持100左右，接近饱和状态。2021年SiC衬底产能为6。7万片，较上年增长41。43。据公司招股书，截至2021年上半年，公司长晶炉达到585台。2022年7月，公司与客户签订长期供货协议，预计202325年，公司将向客户销售6英寸导电型碳化硅衬底产品合计约人民币13。93亿元（美元兑人民币汇率以6。7折算）。依靠上海临港工厂的导电型衬底产线投产，公司导电型SiC衬底营收占比和规模将持续增长。
　　公司毛利率呈上升趋势，但由于宏观经济影响，2022年上半年公司毛利率下降幅度较大。公司核心生产环节的晶棒良品率由2019年的38。57上升至2020年的50。73。201820年公司衬底良品率总体保持在70以上。随着良率提升降低了生产过程的废品率，单位衬底的成本下降，利润率提升明显。毛利率从2018年的8。45提升至2021年的32。83。由于疫情及国际形势变化对公司新建产能进度造成不利影响，公司调整现有产能，将济南工厂部分设备生产由半绝缘衬底调整为导电型衬底，导致临时性稼动率和良率的下降，2022H1毛利率为5。92。此外，也由于宏观经济影响下市场需求波动等有所下降，导致公司产品价格及毛利率下跌。未来随着导电型产品销量提升带来的规模效应及良率提升，公司盈利能力有望得到改善。公司2021年扭亏为盈，2022年上半年受营收影响出现亏损。201920年公司未实现盈利主要由于实施股权激励确认高额股份的支付费用，扣非后20192020年均已实现营利。公司2021年公司扭亏为盈，2021年公司归母净利润为0。89亿元，2020年亏损6。42亿元。2022H1公司亏损0。73亿，主要受营收下降，同时研发费用提升带来的影响。
　　5。2。天科合达：导电型衬底国内第一，再度重启IPO工作
　　天科合达是是国内成立时间最早、规模最大的碳化硅晶片制造商之一，产业涵盖碳化硅单晶炉制造、碳化硅单晶生长原料制备和碳化硅单晶衬底制备。公司2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立，2020年7月在科创板申报IPO，2020年10月终止IPO，2022年4月公司再度重启IPO上市辅导工作。公司建立了国内第一条碳化硅晶片中试生产线，是国内最早实现碳化硅晶片产业化的企业之一。自设立以来，通过持续研发投入已经相继实现2英寸至6英寸碳化硅晶片产品的规模化供应，并于2020年1月启动8英寸产品研发工作，工艺技术水平处于国内领先地位。根据Yole统计，2018年公司导电型晶片的全球市场占有率为1。7，排名全球第六、国内第一。
　　导电型SiC晶片是公司核心产品。公司主要产品包括SiC晶片、其他SiC产品（碳化硅籽晶、碳化硅晶体）和SiC单晶生长炉，其中导电型SiC晶片是公司核心产品。公司根据市场需求规模和经济效益测算，自2018年起不再生产23英寸SiC晶片，客户需求由4英寸SiC晶片改直径切磨抛等工序后满足，于201720年陆续实现4英寸导电型、半绝缘型等产品的规模化生产并实现销售。2020年3月前，销售的6英寸SiC晶片全部为研发部门在研发过程中的合格产品，2020年4月起，由于良品率已经提升至具有商业效益，6英寸正式转入生产部门进行规模化生产，销售开始逐渐增加。
　　业务快速发展，盈利能力持续增强。一方面，公司通过长期技术研发投入和工艺积累，SiC晶片尺寸和产品质量不断提升，另一方面，终端应用场景逐步明确，公司根据市场需求情况不断扩大SiC晶片产能，并设立沈阳分公司专业从事SiC单晶生长炉业务，产品供给能力不断提升，SiC晶片和单晶生长炉等产品销售规模快速扩张。201619年，公司营业收入从0。13亿元增长到1。55亿元，期间CAGR约127。2015年前，由于技术不够成熟，产销规模较小，公司毛利率为负，归母净利率也处于下降通道，毛利率直到2016年开始转正，归母净利率在2018年开始转正。2019年，公司归母净利润0。30亿元，同比1445。44。国产材料强强联手。公司与金博股份于2022年4月签署《战略合作协议》，就高纯热场材料、高纯保温材料、高纯粉体材料在第三代半导体领域的开发和应用，达成深度战略合作伙伴关系，合作期5年可续签，以满足公司对相关材料国产化的需求，长期看毛利率有进一步上升的空间。
　　5。3。露笑科技：定增切入碳化硅衬底，实现第二增长曲线
　　露笑科技创立于2003年，是国内主要电磁线产品供应商之一，主要产品有各类铜、铝芯电磁线、超微细电磁线、小家电节能电机、无刷电机、数控电机、涡轮增压器和蓝宝石长晶设备等卸下历史包袱，专注主营业务。电磁线业务是公司传统强势业务，但电磁线行业经多年持续高速增长，已步入发展周期中的成熟期，因此公司不断寻求转型，实现公司第二增长曲线。公司已将前期新能源车及蓝宝石业务剥离上市公司，目前主营业务仅保留电磁线制造、光伏电站运营（由全资子公司顺宇洁能科技运营）及碳化硅衬底片制造3项。2022H1年公司在工业、光伏、新能源汽车行业收入占比分别为79。25、17。30、1。73。
　　经营转型期，业绩仍有波动。由于公司主营电磁线业务以成本加成模式定价，而2021年内铜、铝等大宗原材料价格持续上行，造成公司产品售价上行，2021年公司实现营业收入35。53亿元，同比增长24。75。但是也因上游原材料价格大幅波动，同时旗下位于光伏电站因雪灾计提7307。65万元资产减值准备，2021全年实现归属母公司股东的净利润0。67亿元，同比下滑48。57。2022H1实现营业收入17。63亿元，同比减少4。96，公司碳化硅业务前期资本投入较大，研发费用同比去年增加较多，以及实施2021年员工持股计划造成相关费用的增加，实现归属母公司股东的净利润0。34亿元。
　　牵手合肥国资，定增助力百亿产业园有序推进。公司于2020年10月与合肥北城资本管理有限公司、长丰四面体新材料有限公司签署《合资协议》，约定三方合作在合肥长丰县投资建设“第三代功率半导体（碳化硅）产业园项目”，项目公司即合肥露笑半导体材料有限公司，露笑科技近期增资完成后将持有合肥露笑半导体55。65股权。该项目分三期拟合计投资100亿元，分阶段实现6英寸及8英寸导电型碳化硅衬底片及外延片的量产。合肥露笑半导体衬底片加工车间2021年12月建成并投入使用，已具备年产10万片的产能规模，实现了6英寸衬底片的销售。截至2022年6月，公司已安装280台长晶炉并开始批量生产，长晶良率达50，处于全球先进水平后道切磨抛设备已经安装调试完成，处于爬坡阶段；认证方面，公司已完成三轮SBD认证，MOSFET认证接近尾声。
　　5。4。民德电子：构建功率半导体smartIDM
　　成功进军半导体行业，依靠投资打通半导体全产业链。民德电子于2004年在深圳成立，从一家专业从事条码识读设备的设计、研发、生产和品牌营销的科技公司依靠收购整合泰博迅睿进军半导体行业。2022年起，公司投资广微集成（功率半导体设计）、浙江晶睿（硅片外延厂）、广芯微（晶圆代工厂）、芯微泰克（超薄片背道代工厂），形成体系化投资战略布局，打通功率半导体全产业链，构建smartIDM生态圈。既可以依靠协同效应保障战略供应稳定，又能实现自主发展规划和独立运营。
　　公司在SiC全产业链上布局完善，有望驱动未来增长。公司通过定增加大碳化硅功率器件领域投资，2021年，公司依靠5亿募集资金及3。98亿自有资金投资碳化硅功率器件的研发和产业化。公司从事芯片设计的控股子公司广微集成在SiC领域具有多年的技术积累。涉及SiC外延片的子公司晶睿电子已有意向客户，正准备SiC外延片的生产。广芯微电子（晶圆加工）计划明年实现SiC功率器件的量产。从事超薄片背道代工的芯微泰克预计在明年投产后开展SiC背道减薄代工业务。
　　5。5。三安光电：SiC全产业链布局，具备一体化优势
　　三安光电成立于2000年，主要从事全色系超高亮度LED外延及芯片、以及砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体材料的研发与应用，产品应用领域包括照明、显示、背光、农业、医疗、微波射频、激光通讯、功率器件、光通讯、感应传感等。
　　2018年之前，公司经营重心聚焦在LED业务上，产能持续增长带动公司营收快速增长。201117年公司总营收和归母净利润CAGR分别达到为29。90和22。51。2019年开始，LED芯片行业竞争激烈，产品价格连续下降，公司收入增长停滞，利润率降幅较大；2021年LED行业引来拐点，上半年整体需求强劲，产品毛利率水平得到一定程度提升，与此同时公司培育多年的集成电路业务快速成长，2021年公司实现总营业收入125。72亿元，同比48。71，归母净利润达13。13亿元，同比29。20。2022年以来，LED领域，尽管MiniMicroLED等LED高端业务同比84。80，但传统LED受国内外经济环境动荡、疫情反复、房地产市场低迷、消费市场需求萎缩等多重因素影响，销售未达预期。集成电路领域，因疫情砷化镓射频、滤波器业务受到一定程度影响，而电力电子业务快速推进，行业需求强劲。2022H1公司实现总营业收入67。62亿元，同比增长10。60，归母净利润达9。32亿元，同比5。46。
　　客户拓展、产品验证顺利推进。公司SiC衬底已向多家国际大厂送样验证，已获得客户的验证通过并实现销售；SiC二极管产品出货客户超200家，已覆盖PFC电源、车载充电机、光伏逆变器、家电等应用领域的头部客户；SiCMOSFET产品已送样数十家客户验证，车规级MOSFET与新能源汽车重点客户的合作已取得重大突破，业务合作意向深度及广度不断延伸。2022年9月，公司发布自主六寸全链整合平台的1200VSiCMOSFET系列，系列产品在比导通电阻特性，击穿电压特性和阈值电压稳定性上，测试显示出对比友商更为优越的结果，能有效提高电驱动系统的效率和可靠性，在后续导入客户的过程中具备显著的优势。公司在20222年中报披露，目前，砷化镓射频产能已扩充到12，000片月、光技术产能2，000片月、湖南三安电力电子碳化硅产能6，000片月、电力电子硅基氮化镓产能1，000片月。
　　5。6。中瓷电子：背靠强大科研资源，进军第三代半导体领域
　　立足于电子陶瓷系列产品，依靠收购进军第三代半导体领域。中瓷电子于2009年成立，是一家专业从事无线通信、激光、消费电子、汽车电子等领域电子产品研发、生产和销售的高新技术企业。公司于2021年1月宣布在深圳交易所中小盘上市，2022年1月公司宣布，计划收购控股股东中电科十三所氮化镓碳化硅资产，正式进军第三代半导体领域。
　　以电子陶瓷为主，产品高端化带动公司业务持续快速增长。公司产品包括光通信器件外壳、无线功率器件外壳、红外探测器外壳、大功率激光外壳、声表面晶体振荡器外壳、3D光学传感器模块外壳、5G通信终端模块外壳、氮化铝陶瓷基板、陶瓷元件、集成加热器等。公司的主要产品通信器件用电子陶瓷外壳，市场需求旺盛。公司整体营业收入呈持续增长趋势，从2016年的2。31亿元增加到2021年的10。14亿元，复合增长率为，国内销售收入的占比逐年提高。在2022H1，公司营收将达到6。33亿元，同比增长27。62。2016年至2021年，公司归属于母公司的净利润CAGR为35。2。2022H1，归属于母公司的净利润为7800万元，同比增长37。45。
　　国资股东背景加持，科研资源及技术积累强大。公司的控股股东为中国电科十三所，是国内从事半导体技术研究历史最长、规模最大、专业结构配套齐全的综合性工程类半导体骨干研究所之一。公司董事长卜爱民为中国电科十三所所长，公司高管付花亮、梁向阳、邹勇明等人也来自于中国电科十三所，具有强大的科研及研发背景。来自中国电科十三所的强大科研背景为公司实现技术领先夯实基础。乘国家政策东风，充分受益国企改革。公司是中国电科十三所目前唯一控股的上市公司，受益于国有企业改革和兼并重组的相关政策，有望高效实现内部资源整合，优化公司产业结构，发挥公司间协同作用，提高企业竞争力和抗风险能力。
　　5。7。斯达半导：车规级SiC模块率先放量
　　IGBT龙头企业，产品应用于众多新兴领域。斯达半导于2005年成立，是国内IGBT模块龙头企业，主营业务包括IGBT、快恢复二极管等功率芯片的设计以及IGBT、MOSFET、SiC等功率模块的设计、制造和测试，产品广泛应用于工控与电机节能、新能源、变频白色家电及其他领域。目前，国内新能源汽车、光伏及风电逆变器、头部变频企业均为公司IGBT模块的主要客户。2021年，根据Omdia数据，公司在全球IGBT模块市场排名第六，是唯一一家进入全球前十的中国企业。
　　公司早已涉足SiC领域，推出涉及不同应用领域的SiC模块产品。2019年公司在机车牵引辅助供电系统推出低电感SiC模块，在新能源汽车行业推出低损耗车用SiC模块，在光伏行业推出混合SiC模块。公司新增多个使用全SiCMOSFET模块的800V系统的主电机控制器项目定点，车规级SiC模块也已获得国内外多家车企和Tier1的项目定点，公司SiC模块进入小鹏800V高压平台，应用于国内首款基于800V高压SiC平台量产车小鹏G9上。截止到2021年9月8日，公司SiCMOSFET模块订单金额超过3。4亿，预计在202223年交货。公司募投项目更是加码SiC芯片，向产业链上游芯片领域延伸。2020年12月，公司发布公告，计划投资建设全SiC功率模组产业化项目，总投资2。29亿元，建设年产8万颗车规级全SiC功率模组生产线和研发测试中心，项目将按照市场需求逐步投入。2021年11月，公司通过非公开发行股票的方式拟募资35亿，其中5亿用于SiC芯片研发及产业化项目，拟通过新建厂房、购置设备等配套设施，开展SiC芯片的研发和产业化，本项目计划建设周期为3年，预计项目达产后将形成年产6万片6英寸SiC芯片生产能力。
　　5。8。时代电气：高压领域领军者，布局SiC有优势
　　时代电气（中国中车旗下股份制企业）的前身中车株洲电力研究所成立于1959年，专注电力机车及相关产品的研究开发，是我国轨道交通行业具有领导地位的牵引变流系统供应商。公司于2006年在香港联交所主板上市，2021年科创板上市，实现AH股两地上市。
　　不断向产业链上下游延伸。公司主要从事轨道交通装备产品的研发、设计、制造、销售并提供相关服务，具有“器件系统整机”的产业结构，产品主要包括轨道交通电气装备、轨道工程机械、通信信号系统等。同时，公司还积极在功率半导体器件、工业变流产品、新能源汽车电驱系统、传感器件、海工装备等领域开展业务。其中，公司功率半导体器件覆盖IGBTFRD模块、SiC芯片及器件、整流管及晶闸管等产品，公司IGBT在轨交、电网领域批量交付，2021年市占率为全国第一。目前公司是全球为数不多的同时掌握IGBT、SiC、大功率晶闸管及IGCT器件及其组件技术，并且集器件开发、生产与应用于一体的IDM模式企业。
　　2021年之前公司轨道交通装备业务营收占比超80，因此受国家铁路投资影响较大，过去200810年与201315年分别对应了国家高铁大规模建设规划，高景气带动公司营收快速增长。200715年公司总营收和归母净利润CAGR分别达到为31。68和30。95。2015年后公司收入与利润成长趋势减弱，202021年，受疫情影响，产业链、供应链受阻，国家铁路投资额下降，总营收与利润连续两年负增长，2021年公司实现总营收151。21亿元，同比下降5。69，归母净利润达20。18亿元，同比下降18。46。随着海外需求复苏，以及复工复产后带来的行业需求释放，2022年轨道交通业务企稳回升，新兴装备业务实现了翻倍增长，前三季度公司总营业收入达108。76亿元，同比27。56，归母净利润达15。63亿元，同比29。97，同比增速均创下2015年以来的新高。
　　5。9。士兰微：IDM龙头规模初具，具备长期配置价值
　　士兰微成立于1997年9月，经过二十多年的发展，从一家Fabless公司发展成为IDM模式的综合型半导体产品公司，产品也从包括集成电路、，逐步拓展至半导体分立器件、LED（发光二极管），涉及二极管、MOSFET、IGBT、MEMS传感器、PMIC、IPM、LED芯片等多种产品型号。其中，公司的分立器件和大功率模块除了应用在白电、工业控制等市场外，已开始加快进入新能源汽车、光伏等市场。
　　2021年，公司扭亏为盈，2022年持续增长趋势。2020年之前，尽管士兰微收入稳定增长，但IDM模式带来的折旧压力，以及需求不振（如2019年）带来的产能利用率压力，两重因素叠加导致公司在利润端承压。进入2021年，随着全球半导体需求的繁荣，公司积累多年的产能和产品优势得到集中释放，利润迎来快速增长。2021年公司实现收入71。94亿元，同比增长68。07；归母净利润15。18亿元，同比增长超过20倍，大幅扭亏为盈。2022年上半年，公司营收实现大幅增长。2022年上半年公司营收41。85亿，较上年同期增长26。49亿。归母净利润为5。99亿，较2021年同期增长39。12。
　　公司硅基器件产能持续攀升，扩产后12寸产能领跑全国。公司士兰集成（56寸）、士兰集昕（8寸）、士兰集科（12寸）三座硅晶圆厂。根据公司公告，士兰集成和士兰集昕2021年产出晶圆规模分别255。4465。73万片。2022年上半年，士兰集成处于满负荷生产状态，总计产出5、6寸芯片127。66万片，比上年同期增加4。43，士兰集昕总计产出8吋芯片31。14万片，比上年同期减少1。61。12寸晶圆方面，2020年底，士兰集科正式投产12英寸晶圆，目前每月产能为6万片。2022年4月，公司向士兰集昕投资39亿元以建设12寸晶圆片，扩建完成后，外加士兰集科每月6万片的产能，公司将实现12寸晶圆片每月产能9万片。2022年10月14日，士兰微发布公告称，公司拟定增募资不超过65亿元，用于年产36万片12英寸芯片生产线项目、SiC功率器件生产线建设项目、汽车半导体封装项目（一期）、补充流动资金。
　　5。10。博敏电子：新型覆铜陶瓷衬板打造第二成长曲线
　　博敏电子成立于1994年，起家高精密印制电路板业务，特色产品包括HDI板、高频高速板、多层板、刚挠结合板和其他特殊规格板等，公司通过内生发展和外延并购相结合的方式，从横向和纵向两个维度进行业务延伸（PCB）。公司战略横向延伸至陶瓷覆铜工艺，积极推进AMB陶瓷基板产业化落地，凭借核心钎焊料工艺配方产品性价比大幅领先海外厂商，同时在军品领域供货经验助力公司产品顺利通过车规级碳化硅模块大厂的验证。
　　公司收入连续十年维持增长，2021年营业收入35。21亿元，归属母公司股东净利润2。42亿元，201121年公司总营收和归母净利润CAGR分别达到为17。09和16。85。2022年因为宏观环境下消费电子市场疲软对HDI板需求明显下降，公司收入及盈利能力出现下滑，22H1实现营业收入15。34亿元，同比下滑6。78，22H1归母净利润为1。09亿元，同比下滑28。35。22H1公司汽车电子占PCB业务的33，汽车电子业务同比增长27，占比提升8pcts。逐季度盈利能力来看，22Q2公司毛利率17。42，环比回升1。56净利率7。99，环比回升1。80pct。
　　5。11。晶升装备：碳化硅单晶炉具有较强竞争力
　　晶升装备是一家半导体专用设备供应商，主要从事晶体生长设备的研发、生产和销售。公司基于高温高真空晶体生长设备的技术同源性，结合“晶体生长设备工艺技术晶体材料”产业链上下游技术协同优化的能力，聚焦于半导体领域，向半导体材料厂商及其他材料客户提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和蓝宝石单晶炉等定制化的晶体生长设备。陆续开拓了上海新昇、金瑞泓、神工股份、三安光电、东尼电子、合晶科技等客户，确立了公司在半导体级晶体生长设备领域的市场地位。
　　2021年，公司营收为1。95亿元，同比增长60；净利润为0。47亿元，同比增长58。2022年上半年，由于上海新冠疫情对公司供应链产生影响，公司部分产品生产、交付客户时间有所延迟，导致当期收入规模仍相对较小。2022年上半年公司营收0。65亿，同比增长8。1，增长率较上年同期有所下降。公司预计2022年全年收入为2。1亿元至2。3亿元，同比增长7。73至17。99，归母净利润预计为0。16亿元至0。18亿元，同比下降48。04至53。81。
　　碳化硅单晶炉占公司主要营收占比。2021年，半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和蓝宝石单晶炉等定制化的晶体生长设备实现营收0。49亿元1。24亿元0。11亿元，占公司营收占比25。2163。815。64。2021年，公司半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉单价分别为1228。41万元与65。80万元，公司蓝宝石单晶炉2020年单价为73。15万元。因持续开拓下游客户及新型产品市场，推进新增产品序列后续实现大批量生产销售，当期碳化硅单晶炉新型及首台（批）产品收入占比增长至27。69。
　　5。12。德龙激光碳化硅晶锭切片技术已完成工艺研发
　　德龙激光成立于2005年，是业内少有的同时覆盖精密激光加工设备及激光器的厂商，聚焦于泛半导体、新型电子及新能源等应用领域，产业链一体化优势显著。201821年公司营收从3。23亿增长到5。49亿，净利润从0。07亿增长到0。88亿。2022H1，上半年受疫情拖累设备验收进度，公司实现营业收入2。42亿元，同比7。99，归母净利润0。25亿元，同比13。94。公司精密激光加工设备业务贡献主要收入，2021及22H1收入占比分别为73。46和74。50。公司精密激光加工设备已在集成电路芯片的晶圆加工领域应用，面向第三代半导体中电科的碳化硅晶圆切割设备加速进入市场，面向硅晶圆半导体华为海思和士兰微等的硅晶圆切割设备实现国产替代。2021年公司其中面向集成电路领域的半导体及光学市场激光加工设备收入0。49亿元。
　　5。13。宇环数控：前瞻布局碳化硅磨削和研磨抛光设备
　　公司2004年在浏阳制造产业基地设立，从汽车发动机凸轮用数控双端面磨床起家，专业从事数控磨削设备及智能装备业务，成长为行业领先企业之一。目前主要产品包括应用于汽车发动机领域的数控磨床、3C领域的数控研磨抛光机，以及智能制造生产线，主要客户包括富士康、蓝思、捷普等行业一线企业。公司营收从2012年6。26亿增长到2021年14。98亿，CAGR为10。1；公司净利润从0。39亿增长到2021年1。03亿，CAGR为11。4。2022H1，公司实现营业收入2。40亿元，实现归母净利润0。47亿元。其中，消费电子制造业领域实现营收2。09亿元，占公司总营收的87。11；汽车零部件制造业领域实现营收0。20亿元，占公司总营收的8。44；其他领域实现营收占公司总营收的4。45。
　　前瞻布局碳化硅为代表的半导体材料加工磨削和研磨抛光设备。目前公司部分样机基本达到客户的要求，但该设备的验证需要一定的周期。公司产品可参与到碳化硅材料加工的晶锭端面磨削，晶锭外圆磨削、磨参考边，晶圆片双面减薄、抛光等工序，目前，公司已有设备在精度、表面粗糙度等多方面达到了部分客户的要求，暂未形成批量订单。后续将在技术完善后，根据市场和客户的需要逐步进入小批量试生产。
　　5。14。晶盛机电：设备材料自主可控
　　晶盛机电成立于2006年，是国内晶体生长设备领域的龙头企业。公司围绕硅、碳化硅、蓝宝石三大主要半导体材料，从事关键设备的研发、制造和销售，并延伸到材料领域，产品主要应用于集成电路、光伏、LED、工业4。0等新兴产业。
　　受益于光伏行业持续发展、硅片厂商积极扩产带动半导体设备国产替代进程加速，公司光伏设备、半导体设备订单量大幅增长，蓝宝石材料及辅助耗材业务也初露锋芒。公司2021年收入59。61亿元，5年CAGR为32。2；归母净利润17。12亿元，五年CAGR45。0。2022H1公司营收43。70亿元，同比增长91。02；归母净利润12。07亿元，同比增长101。
　　SiC材料有望打开长期增量。在碳化硅领域，公司的产品主要有碳化硅长晶、抛光、外延设备以及6英寸导电型碳化硅衬底片。公司从2017年开始布局碳化硅业务，凭借在硅晶体设备领域先进的技术支撑，2020年实现SiC外延设备的销售，建设了6英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节的研发实验线，实验线产品已通过下游部分客户验证。2022年8月，公司宣布成功生长出8英寸导电型碳化硅晶体，解决了8英寸碳化硅晶体生长过程中温场不均，晶体开裂、气相原料分布等难点问题，还破解了碳化硅器件成本中衬底材料占比过高的难题，进一步缩小国内外技术差距，保障我国SiC产业在关键核心技术上的自主可控。
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　　精选报告来源：【未来智库】。